7月20日，2018全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会在湖北武汉召开。峰会聚集了全球近百位重量级演讲嘉宾。国科微美国研究所总经理杨应麟作为嘉宾应邀出席，并发表了主题演讲。峰会还发布了 “2018全球闪存企业”评选结果，国科微荣获“十大闪存控制器企业”荣誉称号。
“2018全球存储半导体大会” 由武汉市经信委、武汉东湖新技术开发区指导，武汉光电国家研究中心、中国计算机学会等机构和DOIT传媒共同主办。大会以“存储半导体新纪元”为主题，针对全球闪存和存储半导体的产业新生态、行业新热点、企业新发展，进行全面分析与解读。
作为“2018全球闪存峰会”的重磅环节， 大会发布了“2018全球闪存企业”评选结果。该结果依据企业品牌影响力、产品与技术水平、解决方案、用户反馈以及公开网络投票结果等指标综合评审选出。国科微以其品牌影响力、领先的技术与解决方案荣获“十大闪存控制器企业”荣誉称号。获得该称号的还包括Intel、SAMSUNG、Microsemi、华为、Marvell等国际企业。
会上，国科微美国研究所总经理杨应麟发表了题为《应用于AI上的低延迟NVMe系统》主题演讲。国科微提供面向企业级、消费级市场的存储控制器芯片，拥有国内自主知识产权，支持底层定制化开发。杨应麟博士从芯片设计者的角度出发，介绍应用于AI上的低延迟NVMe系统。与杨应麟博士一同发表演讲的还有Intel、浪潮、三星、华为、西部数据、阿里巴巴等企业高管。
目前，国科微是全球少数可对外供应高性能固态存储主控芯片厂商之一。2015年公司成功自主研发GK21系列高端固态存储控制器芯片；2016年，公司率先推出支持国密算法的GK23系列固态存储控制器芯片；2017年，公司推出国内首款获得中国信息安全测评中心、国家密码管理局双重认证、完全拥有自主知识产权的存储主控芯片GK2301，可广泛应用于个人电脑、服务器、存储阵列、工业电脑、金融设备、教育平台等。